How is the "Dynamic Resistance (Rd)" of ESD Protection Diodes Defined?

动态电阻（Rd）是ESD管击穿后，反向电流（IR）变化量与反向电压（VR）变化量的比值

Rd=ΔVR/ΔIR

反映了二极管导通后对电压的钳位能力 ——Rd 越小，电压随电流变化的幅度越小，钳位越稳定

一、动态电阻 (Rd) 的基本概念

           Rd 越低，钳位效果越好，保护性能越强

           优质 ESD 二极管 Rd < 0.5Ω，高性能产品可达 0.1-0.2Ω

            Rd 每降低 0.7Ω(从 1Ω→0.3Ω)，同等冲击下 Vc 可降低 40%

二、动态电阻与流片工艺的相关性

2.1 衬底与外延层参数影响

2.2 音特电公司研发人员发现流片工艺技术对Rd的影响

        隔离工艺：深槽隔离 (DSI) 技术可减小寄生电容，同时降低 Rd

       注入工艺：ESD 专用注入 (ESD IMP) 降低击穿电压，使 BJT 在低电压下开启，减小 Rd；精确控制 P + 和 N + 注入剂量和深度，优化结特性

          Salicide 形成低阻薄膜，减小接触电阻，降低 Rd

          Salicide 在 ESD 大电流下可能局部烧毁，需特殊设计

          FinFET 等新结构带来新挑战，需重新优化 ESD 二极管设计

          4nm 等先进工艺中，FEOL 和 BEOL 协同优化可显著降低 Rd

三、动态电阻与电路版图设计的相关性

3.1 器件结构设计

          叉指数量和宽度需平衡，过宽导致电流集中，过窄增加接触电阻

          方形版图比传统叉指和八角形电流处理能力提高 30% 和 25%

          环形结构提供均匀电流分布，降低局部热点风险

3.2 金属互联与接触设计

          足够宽的金属线 (≥30μm) 减小寄生电阻

          多层金属并联可大幅降低等效电阻

          高密度接触孔 (≥4 个/叉指) 减小接触电阻

          环绕式接触结构提供均匀电流路径

3.3 布局策略

          减小 ESD 路径上的寄生电感 (关键高频响应)

          优化 ESD 二极管到 I/O pad 和地的连接，路径最短化

          足够散热面积，防止ESD事件中局部温度过高

          与敏感电路保持安全距离，避免热串扰

四、协同优化策略

五、总结

工艺决定本征特性：衬底/外延参数、掺杂分布和特殊工艺 (如 Salicide、深槽隔离) 直接影响Rd的理论下限

版图优化实际表现：通过结构设计、互联优化和布局策略，使实际 Rd 接近理论值，同时提高可靠性

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